一、报告人简介：

王梓丞，2022级博士研究生，导师为叶雪荣教授。研究方向为电力电子器件及系统可靠性。

二、报告内容简介：

    参加人员：可靠性课题组硕博研究生7人

    主要内容：

    1.电力电子器件可靠性预计现状综述;

    2.电力电子器件栅氧化层失效分析方法;

    3.电力电子器件封装失效分析方法。

三、讨论内容：

会议就电力电子器件典型失效模式与失效机理、典型的试验方法开展了讨论。重点针对BTI机理、AC BTI机理，及与之相对应的高温偏置试验、高温反偏试验和老练试验方法开展了讨论。

                                                                                       图1 栅氧化层失效原因

四、需要完善、改进的地方：

1.针对AC BTI机理应进一步深入讨论；

2.电力电子器件多机理耦合问题值得继续深入考虑。

五、会议现场：

                                                  

    

六、国内外相关技术前沿：

       [1] Overview of Real-Time Lifetime Prediction and Extension for SiC Power Converters.Ze Ni , Student Member , IEEE, Xiaofeng Lyu , Member , IEEE, Om Prakash Y adav ,Brij N. Singh , Senior Member , IEEE, Sheng Zheng , Senior Member , IEEE, and Dong Cao , Member , IEEE（2020，08）

       [2] Bias Temperature Instability of Silicon Carbide

Power MOSFET Under AC Gate Stresses. Xiaohan Zhong , Huaping Jiang , Guanqun Qiu , Student Member , IEEE, Lei Tang, Hua Mao , Student Member , IEEE, Chao Xu, Xiaofeng Jiang, Jiayu Hu, Xiaowei Qi,and Li Ran , Senior Member , IEEE（2022，02）