序号	专利名称	专利类型	授权号	发明人	授权日期
1	多退化机理耦合的电磁继电器全寿命周期可靠性评估方法	发明专利	ZL201911267935.5	叶雪荣，陈昊，邓杰，翟国富	2021年6月1日
2	一种基于偏好集的电磁继电器稳健性优化设计方法	发明专利	ZL201911269435.5	叶雪荣，陈昊，邓杰，翟国富	2021年6月1日
3	一种综合考虑永磁体性能退化与制造不确定性的电磁继电器优化方法	发明专利	ZL201911269456.7	叶雪荣，陈昊，邓杰，翟国富	2021年9月14日
4	一种基于频域阶段性比值判断直流串联电弧故障的方法	发明专利	ZL201910777464.6	周学，周雨馨，白天宇，翟国富	2021年5月7日
5	一种适用于触点熔焊力测试的试验系统及方法	发明专利	ZL201910651105.6	周学，李东晖，张勇，翟国富	2021年8月31日
6	器件多余物微粒碰撞检测装置的振动台负反馈失效检测系统及其检测方法	发明专利	ZL201910281992.2	翟国富;王国涛;燕会臻;郜雷震	2021年3月2日
7	一种螺旋线簧式插座	发明专利	ZL201910186207.5	徐乐;李东晖;凌三强;翟国富	2021年1月1日
8	一种测试电连接器内接触零件磨损退化的试验装置及方法	发明专利	ZL201910167928.1	李东晖;凌三强;徐乐;翟国富	2021年9月7日
9	一种交流接触器寿命预测模块	发明专利	ZL201910037461.9	周学;廖晓宇;刘德龙;翟国富;梁慧敏;谢沅皓;陈丹	2021年4月20日
10	一种小型密封电磁继电器接触系统簧片刚度测试装置	发明专利	ZL201811519781.X	由佳欣;李博;袁宝武;柳天舒;翟国富	2021年3月23日
11	一种基于K-means径向基函数的继电器参数全局寻优方法	发明专利	ZL201810147428.7	翟国富;吴岳;崔斌	2021年3月12日
12	一种基于偏好集的电磁继电器稳健性优化设计方法	发明专利	ZL201810146871.2	邓杰;周学;唐伟;余旭;王金华;翟国富	2021年8月17日
13	一种基于正交最小二乘的电磁继电器质量一致性设计方法	发明专利	ZL201810147427.2	邓杰;叶雪荣;李东晖;翟国富	2021年3月12日
14	基于输出特性初始分布的继电器贮存退化数据预测方法	发明专利	ZL201710993431.6	叶雪荣;陈岑;王清敏;翟国富	2021年9月24日
15	一种电磁继电器触簧系统贮存退化表征参数的确定方法	发明专利	ZL201710994397.4	叶雪荣;林义刚;杨文英;王汉;翟国富	2021年4月30日
16	一种电磁继电器永磁贮存退化表征参数的确定方法	发明专利	ZL201710994392.1	梁慧敏;廖晓宇;刘德龙;林义刚;叶雪荣;翟国富	2021年3月23日
17	一种基于径向基函数神经网络的接触器动态特性的快速计算方法	发明专利	ZL201710890023.8	杨文英;郭久威;刘兰香;刘洋;梅发斌;翟国富	2021年1月1日
18	一种用于液压电磁式脱扣器的磁路结构	发明专利	ZL201911060836.X	周学、雍壮、李东晖、翟国富	2021年9月17日
19	一种考虑结构热场作用的接触器弹跳特性计算方法	发明专利	ZL201910377543.8	杨文英、刘兰香、柴玉阳、翟国富	2021年11月23日
20	一种基于裸片封装结构的Sic MOSFET SPICE模型建立方法	发明专利	ZL202010192530.6	叶雪荣、王浩南、张宏宇、翟国富	2021年11月23日
21	一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法	发明专利	ZL202010192530.6	叶雪荣, 王浩南, 张宏宇, 翟国富	2021年10月27日
22	一种机电产品制造过程参数漂移故障诊断方法	发明专利	ZL202010297279.X	叶雪荣, 谭俊, 郭子剑, 邓杰, 翟国富	2021年7月6日
23	综合考虑永磁体退化与制造不确定性的继电器优化方法	发明专利	ZL201911269456.7	叶雪荣, 陈昊, 邓杰, 翟国富	2021年9月14日